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サムスン電子
http://headlines.yahoo.co.jp/hl?a=20071218-00000108-reu-bus_all
 [東京 18日 ロイター] 東芝<6502.T>は18日、米IBM<IBM.N>との間で、回路線幅が32ナノ(ナノは10億分の1)メートルの微細加工技術を用いた次世代LSI(大規模集積回路)の製造プロセス技術を共同開発することで合意したと発表した。
 2010年度にも見込まれる32ナノ世代LSIの量産に向けた開発を加速するのが狙い。
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 IBMは、韓国のサムスン電子<005930.KS>、シンガポールのチャータード・セミコンダクター<CSMF.SI>、ドイツのインフィニオン・テクノロジーズ<IFXGn.DE>、米フリースケール・セミコンダクター、米AMD<AMD.N>との間で32ナノLSIの共同開発で合意している。今回の合意で東芝は、IBMなど6社連合による共同開発に加わることになる。
 東芝とIBMは、2005年12月から32ナノ以降の半導体プロセス技術に関する基礎研究を共同で進めてきた。


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